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知識產權助力創新發展,東微半導體入選企業知識產權戰略推進項目!

2021-05-25

近日,江蘇省知識產權局公示2021年度江蘇省知識產權戰略推進計劃項目擬立項單位,蘇州東微半導體股份有限公司入選企業知識產權戰略推進項目。


2021年4月26日是第21個“世界知識產權”日,其主題是“知識產權和中小企業:把創意推向市場。”保護知識產權就是保護創新,隨着創新企業和科技成果加速涌現,企業知識產權保護的重要性不言而喻。


爲進一步強化全省知識產權保護,全面提升知識產權產出質量,不斷強化企業知識產權戰略實施能力,更加有力支撐知識產權強省建設,更好助推我省經濟高質量發展,江蘇省知識產權局重點面向《省政府關於加快培育先進製造業集羣的指導意見》《江蘇省“產業強鏈”三年行動計劃(2021-2023年)》《江蘇省“十三五”戰略性新興產業發展規劃》中明確的重點產業領域開展企業知識產權戰略推進計劃項目立項工作。


東微半導體是園區第三代半導體產業的中堅力量,自2008年成立至今,專注於半導體核心器件領域技術創新和產業化擁有多項開拓性技術和創新產品。


• 東微半導體製造出世界上首個半浮柵晶體管,可用於新型存儲器,感光器件及功率器件等應用。2013年,半浮柵器件技術論文在美國《科學》期刊上正式發表,並在8月9日被新聞聯播頭條長篇報道;


• 創新產品GreenMOS系列是新能源汽車直流充電樁的核心器件,採用獨特專利器件結構和製造工藝,與常規MOSFET產品相比,有高效率、低溫升、“快而不震”等優勢;


• 原創結構的SFGMOS系列MOSFET產品採用半浮柵結構,兼備了傳統平面結構和SGT結構的功率MOSFET的優點,並具有更高的工藝穩定性和可靠性及更快的開關速度、更小的柵電荷和更高的應用效率等優點;


• 東微半導體的創新型IGBT進入量產,性能達到國際一流水平;


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作爲一家自主創新的技術驅動型企業,東微半導體向來重視知識產權保護工作,曾榮獲2019年度園區知識產權創造獎,2020年,東微半導體入選企業知識產權登峯行動計劃項目實施企業,依託“登峯行動計劃”專利大數據資源,進一步掃除創新發展中的知識產權障礙和風險。


知識產權問題在企業上市過程中的“存在感”越來越強,東微半導體正處在衝刺科創板的關鍵時期,積極佈局知識產權工作,定會進一步加持助力上市之路。